产品应用

射频微波

发布日期：2026/5/29

应用方式
作为高电子迁移率晶体管（HEMT）的衬底材料——GaN-on-Diamond方案用于RF和微波晶体管、RFIC及MMIC封装中，金刚石-铜复合材料也适用于高频高功率射频微波封装。
应用优势
与SiC衬底相比，金刚石可显著降低热阻，部分研究中降幅可超过50%GaN-on-Diamond场效应晶体管功率密度可提升至传统GaN-on-SiC结构的2–3倍适用于5G基站、卫星通信、雷达等高频高功率场景。

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